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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
22
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
22
读取速度,GB/s
17.4
15.0
写入速度,GB/s
12.2
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2272
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
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