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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
25
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
25
读取速度,GB/s
17.4
14.3
写入速度,GB/s
12.2
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2583
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
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G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
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