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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
75
左右 72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
75
读取速度,GB/s
17.4
13.6
写入速度,GB/s
12.2
7.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
1457
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
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