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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
58
左右 64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
17.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
58
读取速度,GB/s
17.4
18.5
写入速度,GB/s
12.2
9.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
1998
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
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