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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
31
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
31
读取速度,GB/s
17.4
13.5
写入速度,GB/s
12.2
10.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2330
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
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