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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
77
左右 73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
77
读取速度,GB/s
17.4
15.5
写入速度,GB/s
12.2
8.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
1809
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
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V-GEN D4R8GL24A8R 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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