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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
28
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
28
读取速度,GB/s
17.4
18.2
写入速度,GB/s
12.2
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3143
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
INTENSO 5641162 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
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