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G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
比较
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
18.3
16.7
写入速度,GB/s
14.0
12.3
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3409
2933
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB RAM的比较
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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