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G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
比较
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
18.3
16.7
写入速度,GB/s
14.0
12.3
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3409
2933
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB RAM的比较
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
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Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
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