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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
总分
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
18.6
14.3
写入速度,GB/s
16.6
8.6
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3938
2361
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB RAM的比较
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Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
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