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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
比较
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
24
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.0
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
24.0
16.8
写入速度,GB/s
20.0
12.7
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
4156
2834
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99P5471-013.A00LF 4GB
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