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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
比较
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
14
28
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
25.1
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
14
28
读取速度,GB/s
25.1
18.3
写入速度,GB/s
19.3
14.5
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
4182
3454
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB RAM的比较
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
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