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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
比较
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB vs Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
总分
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
总分
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
14
28
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
25.1
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.3
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
14
28
读取速度,GB/s
25.1
18.4
写入速度,GB/s
19.3
15.9
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
4182
3785
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
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