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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
比较
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
总分
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
79
左右 72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
22
79
读取速度,GB/s
14.9
14.1
写入速度,GB/s
13.5
7.3
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3679
1651
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB RAM的比较
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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