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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
比较
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
34
左右 35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
22
34
读取速度,GB/s
14.9
15.4
写入速度,GB/s
13.5
11.5
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3679
2763
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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