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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
比较
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
总分
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
81
左右 73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
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规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
22
81
读取速度,GB/s
14.9
12.7
写入速度,GB/s
13.5
6.5
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3679
1460
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
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