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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB

总分
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

总分
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB

差异 规格 评论

差异

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 28
    左右 7% 更低的延时
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.9 left arrow 17.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.3 left arrow 15.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 19200
    左右 1.11 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    17.8 left arrow 18.9
  • 写入速度，GB/s
    15.7 left arrow 16.3
  • 内存带宽，mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    no data / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3867 left arrow 3860

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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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内存RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
内存RAM
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
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Kingston KF548C38-16 16GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 9965596-023.B01G 8GB
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内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
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内存RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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