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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
49
左右 -96% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
25
读取速度,GB/s
4,577.1
18.5
写入速度,GB/s
2,066.5
14.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3593
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
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