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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
49
左右 -44% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
34
读取速度,GB/s
4,577.1
16.1
写入速度,GB/s
2,066.5
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3415
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Lenovo 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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