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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
49
左右 -17% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
42
读取速度,GB/s
4,577.1
14.0
写入速度,GB/s
2,066.5
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2998
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
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