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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
4,577.1
19.2
写入速度,GB/s
2,066.5
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3341
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
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