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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
49
左右 -88% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
26
读取速度,GB/s
4,577.1
15.0
写入速度,GB/s
2,066.5
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3112
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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