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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
4,577.1
14.7
写入速度,GB/s
2,066.5
11.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2658
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
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