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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
4,577.1
18.3
写入速度,GB/s
2,066.5
17.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
4065
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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