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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
4,577.1
19.0
写入速度,GB/s
2,066.5
16.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3827
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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