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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
49
左右 -88% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
26
读取速度,GB/s
4,577.1
19.3
写入速度,GB/s
2,066.5
16.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3733
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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