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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
4,577.1
16.5
写入速度,GB/s
2,066.5
11.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2847
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
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