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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
49
左右 -158% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
19
读取速度,GB/s
4,577.1
20.4
写入速度,GB/s
2,066.5
14.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3066
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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