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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
49
左右 -123% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
22
读取速度,GB/s
4,577.1
17.5
写入速度,GB/s
2,066.5
11.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2748
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
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