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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
49
左右 -32% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
37
读取速度,GB/s
4,577.1
15.2
写入速度,GB/s
2,066.5
11.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2802
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
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