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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
49
左右 -36% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
36
读取速度,GB/s
4,577.1
16.2
写入速度,GB/s
2,066.5
14.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3166
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
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