RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
4,577.1
17.2
写入速度,GB/s
2,066.5
13.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3294
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
报告一个错误
×
Bug description
Source link