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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
4,577.1
19.2
写入速度,GB/s
2,066.5
17.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3895
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Golden Empire CL7-7-7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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