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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
49
左右 -44% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
34
读取速度,GB/s
4,577.1
19.7
写入速度,GB/s
2,066.5
16.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3700
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
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