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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
4,577.1
14.5
写入速度,GB/s
2,066.5
9.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2374
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Frequency (Mhz) *
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