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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905316-131.A00LF 1GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston 9905316-131.A00LF 1GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Kingston 9905316-131.A00LF 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
68
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905316-131.A00LF 1GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2,088.3
2,066.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905316-131.A00LF 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
49
68
读取速度,GB/s
4,577.1
3,552.6
写入速度,GB/s
2,066.5
2,088.3
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
564
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
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