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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston KGTWW1-MIE 4GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
97
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.7
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
97
读取速度,GB/s
4,577.1
15.5
写入速度,GB/s
2,066.5
6.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
1479
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Kingston KGTWW1-MIE 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
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