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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
49
左右 -26% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
39
读取速度,GB/s
4,577.1
11.5
写入速度,GB/s
2,066.5
9.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
1881
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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