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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
49
左右 -40% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
35
读取速度,GB/s
4,577.1
16.7
写入速度,GB/s
2,066.5
15.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3191
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
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