RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
49
左右 -40% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
35
读取速度,GB/s
4,577.1
16.7
写入速度,GB/s
2,066.5
15.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3191
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB RAM的比较
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
报告一个错误
×
Bug description
Source link