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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 15.1
    测试中的平均数值
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    38 left arrow 49
    左右 -29% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 15.9
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 15.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 3264

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
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内存RAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
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内存RAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
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内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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