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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
49
左右 -133% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.0
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
21
读取速度,GB/s
4,577.1
15.3
写入速度,GB/s
2,066.5
7.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2276
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
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Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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