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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    49 left arrow 59
    左右 17% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 20.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB 需要考虑的原因
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    23400 left arrow 6400
    左右 3.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 59
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 20.1
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 10.6
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 2382

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
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内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905702-027.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
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