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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
49
左右 -29% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
38
读取速度,GB/s
4,577.1
15.4
写入速度,GB/s
2,066.5
12.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3147
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
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