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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
4,577.1
11.8
写入速度,GB/s
2,066.5
13.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2844
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
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