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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
57
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.4
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
57
读取速度,GB/s
4,577.1
9.4
写入速度,GB/s
2,066.5
7.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2170
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
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