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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
4,577.1
16.9
写入速度,GB/s
2,066.5
13.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2774
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
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