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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 19
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 17.6
    测试中的平均数值
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB 需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 49
    左右 -104% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 19.0
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 17.6
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 3907

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
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内存RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
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内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
内存RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
内存RAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
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内存RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
内存RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
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