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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
4,577.1
17.7
写入速度,GB/s
2,066.5
11.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2853
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
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