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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
62
左右 -82% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
34
读取速度,GB/s
3,556.6
15.7
写入速度,GB/s
1,843.6
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
3226
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
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