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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
62
左右 -148% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
25
读取速度,GB/s
3,556.6
12.8
写入速度,GB/s
1,843.6
10.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37 38
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
2583
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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