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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
62
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
30
读取速度,GB/s
3,556.6
17.1
写入速度,GB/s
1,843.6
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
3014
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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